Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件支持多功率等级

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Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性

Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）与Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD电源适配器参考设计。该参考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装（SiP）SuperGaN电源控制芯片WT7162RHUG24A，在准谐振反激式（QRF）拓扑中可实现92.2%的效率。



该参考设计是伟诠电子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓扑USB-C PD适配器控制板。在今年早些时候，伟诠电子发布了65瓦的适配器控制电路。两款适配器控制板采用同一个SuperGaN SiP，与竞争方案相比，客户能够以更优的成本实现100瓦产品设计，从而实现规模效益。这也表明，65瓦功率级SuperGaN SiP同样满足100瓦功率级设计的性能和散热要求。

Transphorm业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“基于氮化镓的集成电路可以简化设计，这个想法很棒，但必须“做到集成”，必须是封装内置有必需的的单一集成器件。这正是伟诠电子和Transphorm的SuperGaN SiP的优势所在。我们推出的系统级封装是简单的常闭型解决方案，无需保护电路、驱动器或外部。除此之外，同一颗SiP还适用于65瓦和100瓦的电源适配器。具备了这些亮点的产品和方案，才真正展示出氮化镓所固有的全面的性能优势和稳健特性。目前，只有Transphorm的SuperGaN平台能够实现。”

伟诠电子市场营销副总裁Wayne Lo指出：“伟诠电子在AC-DC电源市场的市占率正不断增长，确保为市场提供最好、最实用的解决方案，对我们来说最为重要。目前，利用氮化镓材料极具吸引力的诸多性能优势，电源适配器市场在不断创新迭代，伟诠电子要做的就是确保客户能够受益于氮化镓的这些优势——不仅在技术上受益，而且能获得更好、更全面的投资回报（ROI）。一颗SiP，既满足适配器物理设计要求，同时又适用于整个适配器系列的不同型号，这是伟诠电子、Transphorm以及客户的多方共赢。这款新发布的100瓦参考设计方案，有力地证明了我们的技术在低价位市场同样具有竞争力，而这只是起步，未来可期。”

100瓦适配器参考设计规格

伟诠电子的通用型100瓦电源适配器验证板按照USB PD 3.0 + PPS 标准设计，用于更快地开发为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能设备充电的各种扁平高性能电源适配器。主要技术规格如下：


Specification规格Detail详情
GaN Device WT7162RHUG24A SuperGaN SiP
氮化镓器件
TopologyBoundary Mode  PFC + Flyback Quasi-Resonant Mode/Valley-Switching Multi-mode Operation
拓扑零界模式  PFC + 反激准谐振模式 /谷底开关多模操作
Full Load Efficiency91.2% @ 90  VAC/Full Load
满载效率91.2% @ 90 VAC/满载
Overall Peak Efficiency92.7% @ 264VAC/Full Load
整机峰值效率92.7% @ 264VAC/满载
Power Density15.8 W/in3 (w/o housing)
功率密度15.8 W/in3（无外壳）
Output Voltage OperationUSB-C PD 3.0, PPS 3.3 V - 21 V
输出电压协议
No Load Power Loss< 50 mW @  264 VAC
空载损耗< 50 mW（@ 264 VAC）
Output Voltage and CurrentPPS: 3.3 V – 21  V/5 A
输出电压和输出电流5 V/3 A; 9 V/3 A; 12 V/3 A; 15  V/3 A; 20 V/5 A
EMI CompliantConducted and  Radiated
电磁兼容传导和辐射
Dimensions69mm x 63mm x 23.8mm
外形尺寸

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