其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点：高效率和高功率密度
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等，可帮助客户达到更高的性能/效率标准，例如某些高性能消费类产品、照明应用，以及ATX/银盒PC开关电源所要求的严格的80 PLUS转换效率标准。
今天推出的这些500V MOSFET采用第二代超级结技术制造，为基于标准平面技术的Vishay现有的500V D系列提供了高效率的补充产品。器件的电流从12A到20A，具有190mΩ～380mΩ的低导通电阻和22nC～45nC的超低栅极电荷，这种组合为功率转换应用提供了十分有利的优值系数(FOM)。
器件的低导通电阻还有助于提高功率密度，同时其更快的开关速度可提高如功率因数校正(PFC)、双开关正激转换器和反激式转换器等典型硬开关拓扑的效率。
器件符合RoHS，可承受雪崩和换流模式里的高能脉冲，并且保证限值通过100%的UIS测试。
器件规格表：
| 器件 | ID (A) @ | RDS(on) (mΩ) @ 10 V | QG (nC) @ 10 V | 封装 | | 25 °C | (最大) | (典型) | | SiHD12N50E | 12 | 380 | 22 | TO-252 | | SiHP12N50E | 12 | 380 | 22 | TO-220 | | SiHB12N50E | 12 | 380 | 22 | TO-263 | | SiHA12N50E | 12 | 380 | 22 | 薄引线TO-220 FULLPAK | | SiHP15N50E | 15 | 280 | 30 | TO-220 | | SiHB15N60E | 15 | 280 | 30 | TO-263 | | SiHA15N50E | 15 | 280 | 30 | 薄引线TO-220 FULLPAK | | SiHG20N50E | 20 | 190 | 45 | TO-247AC | | SiHP20N50E | 20 | 190 | 45 | TO-220 | | SiHB20N50E | 20 | 190 | 45 | TO-263 | | SiHA20N50E | 20 | 190 | 45 | 薄引线 TO-220 FULLPAK
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