吴汉明院士：后摩尔时代，芯片技术的新机遇与挑战
在2021世界半导体大会暨南京国际半导体博览会的开幕式上，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明教授指出：“后摩尔时代，对于追赶者来说，一定是一个机会。”
集成电路产业链长是主要挑战
在半导体产业建设初期，半导体厂商以IDM为主，但随着制造工艺进步和晶圆尺寸扩大，设计、制造芯片所需耗费资金日渐攀升。为了提高竞争力，不少IDM拆分，垂直细分的Fabless、Foundry等新模式出现，加上上游原材料和生产设备本就复杂多样。
“集成电路产业面临的主要挑战是产业链太长、太宽。”吴汉明在2021世界半导体大会上说道。他同时指出，放眼中国的集成电路产业链建设，光刻机、检测等装备是主要需要攻关的方向，而光刻胶、掩膜版、大硅片等材料基本空白。
三大挑战困境芯片制造
高端芯片制造工艺面临三大挑战，即基础精密图形、高端新材料，以及终极提升良率。这些挑战对追赶者而言，无疑是一次难得的发展机遇。
“对于所有芯片企业而言，良率提升是最艰难最头疼的挑战。”吴汉明补充到。然而，这也意味着后摩尔时代，为那些致力于创新技术方向并寻求突破的人们提供了新的空间和可能性。
四类技术方向展望未来
许居衍院士曾经列举了后摩尔时代四类技术方向：“硅-冯”范式正面临功耗与速度提升瓶颈；新兴技术中的类硅模式延续摩尔定律；3D封装存算一体等类脑模式热门且前景广阔；还有通过改变状态来实现逻辑运行如自旋器件或量子计算等范式。
这些新的技术方向，是中国半导体发展的大好时机。“紫光国钛SeDRAM直接键合异质集成就是不错的例子。”吴汉明表示期待。
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