IR推出电池保护MOSFET系列为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。



全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高栅极驱动从12 Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列,提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻,可替代采用较大封装的MOSFET,从而节省电路板空间及系统成本。”

所有新产品均不含铅、溴和卤,符合第一级湿度敏感度标准 (MSL1) 及电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

规格
器件通道类型配置封装VBRDSS最大VGS4.5V下的2.5V下的典型QG
(V)(V)最大导通电阻最大导通电阻(nC)
(mΩ)(mΩ)
IRL6297SDN双共漏极DirectFET SA20124.96.954
IRLML2246PSOT-23-2012-135-2362.9
IRLML2244PSOT-23-2012-54-956.9
IRLML6244NSOT-23201221278.9
IRLML6246NSOT-23201246663.5
IRLML6344NSOT-23301229376.8
IRLML6346NSOT-23301263802.9
IRLHS2242PPQFN 2x2-2012-31-5312
IRLHS6242NPQFN 2x2201211.715.514
IRLHS6276N双独立PQFN 2x2201245623.1
IRLHS6342NPQFN 2x2301215.519.511
IRLHS6376N双独立PQFN 2x23012822.8
IRLTS2242PTSOP-6-2012-32-5512
IRLTS6342NTSOP-6301217.52211