Vishay发布采用ThunderFET技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET

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采用PowerPAK SO-8L和DPAK封装的100V N沟道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面积为5mm x 6mm

Vishay发布首颗通过AEC-Q101认证的采用ThunderFET技术的TrenchFET功率MOSFET。为提高效率和节省汽车应用里的空间，Vishay Siliconix 100V N沟道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK SO-8L和DPAK封装的产品中最低的导通电阻。



Vishay的ThunderFET技术可在单位晶粒面积内实现更低的导通电阻。在更低导通电阻是决定因素的应用场合，这项技术使采用DPAK封装的SQD50N10-8m9L在10V下实现了8.9mΩ的超低导通电阻；在空间是首要因素的时候，SQJ402EP和SQJ488EP在10V下11mΩ的导通电阻与之相近，而小尺寸5mm x 6mm PowerPAK SO-8L封装的尺寸只有DPAK封装的一半。

今天推出的这些MOSFET的连续漏极电流达到50A，适用于汽车发动机控制单元里的喷射增压应用和照明控制单元里用于照明镇流器的反激式转换器。器件的栅极电荷低至18nC，具有低导通电阻与栅极电荷乘积(该参数是DC/DC转换器里MOSFET的优值系数)，可减少开关损耗，并提高整体系统效率。

SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L通过了100%的Rg和UIS测试，符合JEDEC JS709A的无卤素规定和RoHS指令2011/65/EU。器件的工作温度为-55℃～+175℃。

器件规格表：
产品编号
SQD50N10-8m9LSQJ402EPSQJ488EP
封装
DPAK (TO-252)PowerPAK SO-8LPowerPAK SO-8L
VDS (V)
100100100
VGS (V)
202020
RDS(ON) (mΩ) @10 V8.91121
4.5 V11.21425.8
QG (nC)
463418
ID (A)
503242
IDM (A)
20075170

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