。集成电路产业链长是主要挑战，全球化不可替代。在半导体产业建设初期，半导体厂商以IDM为主，但随着制造工艺进步和晶圆尺寸扩大，设计、制造芯片所需资金日渐攀升。
为了提高竞争力，不少IDM拆分，垂直细分的Fabless、Foundry等新模式出现，加上上游原材料和生产设备本就复杂多样，半导体产业发展至今已建起完整的全球产业链。如果将集成电路产业链按照IP、设计、装备材料和芯片制造四个领域进行分类，IP和EDA基本被美国垄断，日本韩国在存储器、材料方面占优势，而中国的芯片制造和封测在全球范围内稍有实力。
不过，这也意味着目前就算是再强大的芯片公司，也需要依托产业链上下游的伙伴才能正产运转，而中国芯片公司亦是如此。吴汉明指出：“集成电路产业面临的主要挑战是产业链太长、太宽。”
如果一个国家或地区要改变半导体产业链的全球格局，在国内打造完整的半导体产业链，将需要付出巨大的代价。“近期美国政府做了相关评估，如果美国要打造本土完全自主可控的半导体生态圈，将需要耗费9000亿至12000亿美元。”吴汉明说道。
虽然中国没有做过类似的调研，但就中国在全球半导体产业链份额来看，将不亚于美国。因此，对于我国而言，要改变这一现状并非易事。这也决定了半导體行业全球化不可替代。
然而，不应因为此认为我国发展大力发展集成电路工业，即使努力追赶国际先进水平也是错误之举。吴汉明指出，我国曾经并不落后，但到1996年，我国已经落后日本20年，因此产能提升刻不容缓。
后摩尔时代为中国半導體發展帶來了挑戰與機遇。Wu Hanming總結了高端芯片製造工藝面臨的一三項挑戰：精密圖形（基础）、新材料（核心）以及良率提升（终极）。
當下主要先進工藝都是用193nm波長光源曝光出20-30nm圖形，這就是精密圖形問題。而當光刻技術解决後，就會面臨新的材料與技術挑戰。“本世紀以來有64種新材質陸續進入晶圓製程中”，支撐著摩爾定律持續前行，“晶片性能提升主要依賴於新材質與新技術”。
對於所有晶圓企業而言，加速良率提升最為艱難。此外，由於後摩爾時代中晶片性能增長放緩，使得業界尋求新的技術方向，以便加速性能提升，這對一直處於追趕狀態中的中國而言，是一個機遇。
Wu Hanming介紹了一些後摩爾時代可能採用的四個類型科技方向，其中包括“硅-冯”范式、“类硅模式”、“3D封装与存算一體”以及通过改变状态运行逻辑的事物如量子计算等。他說這些都是一些中國可以利用開發其自身業界之機會：“例如紫光國鑫SeDRAM直接鍵合異質集成就是一個很好的例子。”
這些新的技術方向，都提供了一些幫助中國從未見過強大的位置重新崛起之門戶開啟。但無論如何，一切都將取決於中國能否有效地應對這場競爭，並且不要錯失任何一次轉折點。
