产品介绍 碳化硅紫外光电二极管SG01XL-B5特性： 1、采用碳化硅（SiC）材料 2、仅适用于UVB波段 3、光敏区域面积7.6mm2 4、10uW/cm2峰值辐射强度照射下产生约95nA电流 5、芯片高度稳定性（通过德国PTB认证） 关于碳化硅材料（SiC）： SiC具有极其特别的优点，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快，这些特性使得SiC成为能够抑制可见光用来制作半导体紫外线探测器很好的材料。SiC探测器可以长期工作在高达170℃的温度中，温度系数低（<0.1%/K）并且噪音低，能够有效的监测到很低的辐射强度（需配置相应的放大器）。 碳化硅紫外光电二极管SG01XL-B5技术参数: 型号 SG01XL-B5 光谱特性 灵敏度 0.125A/W 波长典型值 280nm 波长范围（S=0.1*Smax） 231-309nm 可见光抑制比（Smax/S>405nm） >1010 一般特性（25℃） 光敏区域面积 7.6mm2 暗电流（1V反向偏压） 25.3fA 电容 1900pF 短路电流（10uW/cm2峰值辐射强度） 约95nA 温度系数 <0.1%/K 额定值 操作温度 -55～+170℃ 储存温度 -55～+170℃ 焊接温度（3S） 260℃ 反向电压VRmax 20V 物理特性 采用TO5金属外壳密封，1引脚绝缘，1引脚接地 碳化硅紫外光电二极管SG01XL-B5应用领域： 主要用于火焰控制(工业锅炉)，水处理(UV强度的保险)，UV天文(阵列探测)，枪弹跟踪(紫外线照相机)，臭氧和污染物监测，火焰感应(火警安全装置油滴监测)，测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具)，紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。
