Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V额定值的动态ORingZXGD3108N8，以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。
新通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与同类型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压少于-3mV，加上±2mV的紧密容差，可在轻载的情况下改善系统的稳定性及提高效率。
此外，这款可灌入5A的电流，确保并联ORing MOSFET能够尽快放电，并且做到600ns的快速关断时间，以防止反向电流及在共轨系统上的电压降。在典型的12V配置内，器件的静态电流设定为400µA以下，待机功耗则少于5mW。
Diodes公司的ZXGD3108N8 ORing MOSFET采用SO-8封装。如欲了解进一步产品信息，请访问公司网站www.diodes.com。
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