从2017年以来，DRAM价格一路高歌猛进，三星、海力士和美光在这一轮的行情中获得了丰厚的利润。这一市场异变得到了中国反垄断机构的关注，据集微网了解，5月31日，中国反垄断机构分别对美光、三星、海力士三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。
据集邦咨询的数据，2018年第一季三星、海力士、美光在DRAM产业的市占率合计共占95.4%的市场份额，而中国存储厂商在该市场的份额依然为零。目前，我国存储领域已形成包括发展NAND Flash的长江存储，专注移动式内存的合肥长鑫以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。值得注意的是，今年将是中国存储产业发展的关键节点，那么三家厂商目前的进度如何？
福建晋华
福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华集成电路，JHICC)是由福建省电子信息集团、及泉州、晋江两级政府共同出资设立，被纳入我国“十三五”集成电路重大生产力布局规划。
晋华集成电路与联华电子开展技术合作，专注于随机存取存储器（DRAM）领域。企业用地面积约600亩，一期总投资370亿元。工程建设方面，采取EPC总承包模式，交叉推进设计、采购、施工各个环节；项目运作模式为边建设、边引才、边研发。
集微网记者于5月26日参观晋华集成电路公司，了解到当前厂房正进行内部装修和机电安装。
办公楼
主厂房
按计划，6月工程建设竣工，9月正式投产，预计投产后的一期项目可实现月产6万片12英寸晶圆的产能。
晋华项目进展：
晋华项目宣传片指出，晋华以三星海力士等行业巨头为标杆，力争通过自主研发实现对行业领先制造工艺的赶超。对比国内同类项目晋华项目建设进度优势明显，有望成为国内首家拥有自主技术的内存龙头企业。
据悉，晋华集成电路在人才团队方面，采取海内外人才招聘与人才培训相结合的方式。按计划，2018年人才队伍将达1200人，目前已招募人员800多人。
由于晋江集成电路产业基础较薄弱，晋江市以晋华项目为龙头，构建“三园一区”产业发展空间载体，打造设计、制造、封装测试、装备与材料、终端应用的集成电路全产业链生态圈，其目标是到2025年可形成1000亿产业规模。据悉，矽品、芝奇、美国空气化工等20多个产业链项目已落地晋江，总投资近600亿元，产业链生态圈正逐步形成。
正在建设的矽品位于晋华集成电路对面，将以DRAM封测业务为主。
合肥长鑫
睿力集成电路有限公司由北京兆易创新与合肥市产业投资控股集团合资，兆易创新出资20%，公司主要研发19纳米制程的12英寸晶圆DRAM，目标2018年12月底研发成功。
据集微网了解，当前，合肥长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目正处在加快建设的阶段，该项目一旦正式投产，预计将在全球DRAM市场占得约8%的市场份额，从而填补国产DRAM存储器在本国市场的空白。
值得一提的是，在今年4月的一次公开活动上，长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国首次高调亮相并介绍了合肥长鑫存储器项目的5年规划：2018年1月一厂厂房建设完成，并开始设备安装；2018年底量产8Gb DDR4工程样品；2019年3季度量产8Gb LPDDR4；2019年底实现产能2万片/月；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。
王宁国表示，希望2018年底第一个中国自主研发的DRAM芯片能够在合肥诞生。同时，王宁国透露，长鑫睿力已经与北方华创签约，未来还会与更多的国内设备和材料厂商签约合作。
据台媒Digitimes报道，合肥长鑫12英寸存储器晶圆制造基地所需的300台研发设备已基本全部到位，待装机完成之后，从2018年下半年开始便全力投入试生产的环节。
同时，据TrendForce存储器储存研究 (DRAMeXchange) 指出，合肥长鑫的厂房已于2017年6月封顶完工，并且于第3季开始移入测试用机台。由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb，尔后面临专利争议的可能性也较高，为了避免此一状况，除了积极累积的专利权外，初期可能将锁定于中国销售。
除此之外，据集微网5月9日最新消息显示，美国半导体技术供应商Rambus与兆易创新成立合资公司合肥睿科微电子有限公司，并同时完成由清控银杏联合领投的A轮融资。这家新的合资企业致力于电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的商业化，将把下一代内存技术推向市场，同时，在这一合作中中资将占据主导地位，知情人士表示，公司总投资额为五千万美元。
虽然兆易创新与Rambus目前仅签署了协议，合资公司尚未成立。至于成立的具体时间，由于合资公司需要经过美国方面的审批，公司注册及具体成立时间需要等到批准之后才能确定。
长江存储
长江存储于2016年7月26日在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上正式成立，公司主要股东包括大基金和紫光集团、湖北省科投以及湖北国芯产业投资基金等，目前为清华紫光集团的子公司。作为国家级存储项目基地，长江存储总投资金额达240亿美元。预计项目一期建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
目前，长江存储首批400万美元的精密仪器已于4月5日抵达武汉，未来两年内将从全球多地进口近3万吨精密仪器至汉。4月11日，长江存储武汉基地芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。据了解，设备搬入、调试将耗费3个月左右的时间，然后开始小规模试产，如顺利，今年四季度，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片有望在光谷实现量产。
值得一提的是，当天搬入的设备只是第一台，随后要陆续从世界各地搬入各类高精密的芯片生产机台进行调试，数量达2000多台。设备调试完成后，才可以规模量化生产芯片。
此外，5月19日，集微网曾报道，长江存储的首台光刻机已运抵武汉天河机场，设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。据集微网独家消息，这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机，售价7200万美元，用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。这是长江存储的第一台光刻机，陆续还会有多台运抵。
同时，紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国强调，在生产厂房于去年9月提前一个月封顶、32 层三维 NAND 闪存芯片自主研发取得重大突破的基础上，现在我们又提前20天实现了芯片生产机台搬入。未来十年，紫光计划至少将投资1000亿美元，相当于平均每年投入100亿美元。
紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全透露，长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。
今年底，基地就将实现国产3D闪存的小规模量产，用不了多久就能看到基于国产闪存的智能手机、SSD固态硬盘。明年，长江存储还将开始64层堆叠闪存，单颗容量 128Gb(16GB)。
据TrendForce存储器储存研究 (DRAMeXchange) 指出，从中国厂商NAND Flash的发展进程来看，2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动土，官方预期分3阶段，共建立3座3D NAND Flash厂房。第一阶段厂房已于2017年9月完成兴建，预定2018年第3季开始移入机台，并于第4季进行试产，初期投片不超过1万片，用于生产32层 3D NAND Flash产品，并预计于自家64层技术成熟后，再视情况拟定第2、3期生产计划。
当然，在人才方面，长江存储也十分重视。集微网曾报道，前电子信息司副司长彭红兵已经出任大基金副总裁兼长江存储监事会主席。
除此之外，据日经中文网报道，在日本川崎市有一家新成立的企业名为JYM技术株式会社，而实际上就是长江存储科技（YMTC）。相关人士透露，川崎市基地的面积可供100人工作，刚刚在日本启动了招聘活动。同时，长江存储科技2016年秋在美国硅谷开设了研发基地，从存储器巨头美国美光科技等处挖来技术人员，以40人的规模启动研发工作。
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